SJ 50033.41-1994 GR9414型半导体红外发射二极管详细规范

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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/41-94,GR9414型半导体红外发射二极管,详细规范,Detail specification for type GR9414,semiconductor infrared light eitting diode,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,GR9414型半导体红外发射二极管详细规范50033/41-94,Detail specification for type GR9414,semiconductor infrared light emitting diode,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 GR 9414型半导体红外发射二极管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件型号,按输出光功率不同,器件分为GR 9414A、GR9414B和GR 9414CO,1.3.2 器件的等级,按照GJB 33(半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证等级为普军和特军两个等,级,并分别用字母GP和GT表示,2引用文件,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,SJ 2355.3-83 半导体发光器件测试方法反向电流的测试方法,SJ 2658-86 半导体红外发光二极管测试方法,SJ/Z 9014.2-87半导体請件分立器件和集成电路第五部分;光电子器件,3要求,3.1 详细要求,各条要求应按照GJB 33和本规范的规定,3.2 ,设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构应按照GJB 33和本规范的规定。外形尺寸应符合图1的规定,中华人民共和国电子工业部!994-09-30发布1994-12-0I 实施,1,SJ 50033741-94,符号,尺 寸,最小值标称值最大值,四1 .%53 4.95,虹) 531 5.84,A 5.00 7.00,站0.41 0.48,£ 2.54,j 0.80,0.92 1,04 1.16,L 24.64 26.61,图!外形尺寸,3.2.1 半导体芯片材料,半导体芯片材料为碑化傢(GaAs),3.2.2 引出端排列,引出端排列应符合图2的规定,ホ向,图2引出端排列,3.2.3 封装形式,器件为全密封金属外壳玻璃透镜窗口封■装,如,图3封装形式,3.2.4引线长度,2,SJ 50033/41-94,可按合同的规定(见6.2)提供引线长度不同于图1规定的器件.,3.3 引线材料及涂层,引线材料为可伐合金,引线涂层应镀金,也可按照合同要求(见6.2)镀锡,3.4最大额定值和主要光电特性,3.4.I最大额定值,(mA),1pm",(A),Vr,(V) (t),J,(t),50 L0 5.0 -55-100 -55 700,主:1)脉冲宽度i照,每秒300个脉冲,3.4.2主要光电特性(?',添=25匕),参 数正向电压反向电流幅射强度蝇值发射波长,光谱箱射,帯宽,总电容,符号,(V),レ,(心),厶,(mW/Sr),*,(nm),AX,(nm),C?,(pF),测试条件IF = 30mA ド产3 V If 二 30mA f f = 30mA /p — 30mA Vr = 0V,极限值最大值最大值最小值典型值典型值最大值,型,号,GR 9414A,1.4 1.0,10,GR 94148 15 940 40 50,GR 9414C 20,3.5 标志,制造厂可以将GJB 33第3.7条规定的下列标志从管体上省略:,a.制造厂的识别,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按照GJB 33和本规范的规定,4.2 筛选(仅对GT级),GT级器件应按表1中规定的步聚和条件进行百分之百的筛选试验。批中所有器件都应,进行表2中し、む和Vf三个参数的测试。并将测试结果记录下来。所有器件都应标明序,号,以便老化试验后做△参数的最终测试。老化前经密封试电或厶、ル和Vf参数测试失效,的器件应从批中剔除,且在批记录中记录失效器件的序号。老化后超过△极限值的所有器件,应从批中剔除,且在批记录中沱录失效器件数和序号。如果老化后有10%或更多的器件失,效,则整个批不能作为GT级产品交货,3,SJ 50033/41-94,表1筛选的步聚和条件(仅对GT级),检験和试验符号方 法条 件,极限值,単位,最小最大,?高温寿命,(不工作,GJB 128,1032 “您,3热冲击,《湿度糖环),GJB 128,1051,除最高温度为1001C,极限温度下的试,験时间至少15min,循环次教为10次,外,其余按试验条件A,4恒定加速度GJB 128,2006,不工作,加速度:19的的m/此,方向:Y1,”密封,a.细检漏,b.粗检漏,GJB 128,1071 试脸条件H,加压时间2h,试验条件C,检验指示液的温度:,100*5X: 〇,漏率w lOmFa ,em3/s,7中间电参数,测试,反向电流,正向电压,相射強度,GR 9414A,GR 94148,GR 9414c,艮,VF,レ,SJ 2355.3,竽 2658.2,SJ/Z,9014.2,W,L2,33V,『F = 3(hnA,/f = 30mA,10,15,20,L0,1.4 V,mW/Sr,mW/Sr,mW/Sr,8电老化,(正向偏望ン,GJB 128,1027,/p . 5cmAt t 二 96h,9最后渕试,(老化后?2h,内进行),正向电压,辐射强度A……

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